3-ໂດເດຊິວໄທໂອຟີນ CAS:104934-52-3

ໃນສະພາບການຂອງແສງອາທິດອິນຊີ, 3-ໂດເດຊິວໄທໂອຟີນຖືກນໍາໃຊ້ເປັນຫົວໜ່ວຍໂມໂນເມີຣິກທີ່ສໍາຄັນໃນການກໍ່ສ້າງໂຄໂພລີເມີຜູ້ໃຫ້-ຜູ້ຮັບ, ເຊິ່ງປະກອບສ່ວນເຂົ້າໃນການດູດຊຶມແສງທີ່ມີປະສິດທິພາບ, ການສ້າງປະຈຸ, ແລະການຂົນສົ່ງປະຈຸພາຍໃນຊັ້ນທີ່ມີການເຄື່ອນໄຫວຂອງເຊວແສງອາທິດອິນຊີ. ການລວມເຂົ້າກັບກະດູກສັນຫຼັງໂພລີເມີຊ່ວຍໃຫ້ການສ້າງໂຄງສ້າງ heterojunction ຂະໜາດໃຫຍ່, ເຊິ່ງນໍາໄປສູ່ການປັບປຸງການແຍກຕົວ exciton ແລະປະສິດທິພາບການປ່ຽນພະລັງງານທີ່ເພີ່ມຂຶ້ນ. ນອກຈາກນັ້ນ, ໂພລີເມີທີ່ອີງໃສ່ 3-ໂດເດຊິວໄທໂອຟີນພົບເຫັນການນໍາໃຊ້ໃນທຣານຊິດເຕີຜົນກະທົບພາກສະໜາມອິນຊີ (OFETs), ບ່ອນທີ່ພວກມັນເຮັດຫນ້າທີ່ເປັນວັດສະດຸເຄິ່ງຕົວນໍາສໍາລັບການຂົນສົ່ງປະຈຸ, ສະເໜີການເຄື່ອນທີ່ຂອງຕົວນໍາສູງ ແລະ ການນໍາໄຟຟ້າ. ໂດຍການລວມເອົາໂພລີເມີເຫຼົ່ານີ້ເຂົ້າໃນຊັ້ນທີ່ມີການເຄື່ອນໄຫວ ຫຼື ປະຕູໄດອີເລັກຕຣິກຂອງ OFETs, ນັກຄົ້ນຄວ້າສາມາດຮັບຮູ້ວົງຈອນເອເລັກໂຕຣນິກທີ່ມີຄວາມຍືດຫຍຸ່ນ, ລາຄາຖືກ, ແລະພື້ນທີ່ກວ້າງທີ່ມີການນໍາໃຊ້ໃນຈໍສະແດງຜົນ, ເຊັນເຊີ, ແລະອຸປະກອນຕາມເຫດຜົນ. ນອກຈາກນັ້ນ, ອະນຸພັນ 3-ໂດເດຊິວໄທໂອຟີນຖືກນໍາໃຊ້ເປັນວັດສະດຸປ່ອຍປະຈຸ ແລະຊັ້ນການຂົນສົ່ງປະຈຸໃນໄດໂອດປ່ອຍແສງອິນຊີ, ເຊິ່ງປະກອບສ່ວນເຂົ້າໃນການຜະລິດໄຟຟ້າ. ການນໍາໃຊ້ຂອງພວກມັນສະໜັບສະໜູນການພັດທະນາຈໍສະແດງຜົນ OLED ແລະເຕັກໂນໂລຊີແສງສະຫວ່າງສໍາລັບການນໍາໃຊ້ທີ່ຫຼາກຫຼາຍ, ຕັ້ງແຕ່ອຸປະກອນມືຖື ແລະ ໂທລະພາບ ຈົນເຖິງໄຟສ່ອງສະຫວ່າງທາງສະຖາປັດຕະຍະກໍາ ແລະ ປ້າຍໂຄສະນາ. ໂດຍລວມແລ້ວ, 3-dodecylthiophene ແລະອະນຸພັນຂອງມັນມີບົດບາດສໍາຄັນໃນການພັດທະນາເອເລັກໂຕຣນິກອິນຊີໂດຍການເປັນອົງປະກອບທີ່ສໍາຄັນໃນ photovoltaics ອິນຊີ, transistors ຜົນກະທົບພາກສະໜາມອິນຊີ, ແລະ diodes ປ່ອຍແສງອິນຊີ, ຂັບເຄື່ອນນະວັດຕະກໍາໃນພະລັງງານທົດແທນ, ເອເລັກໂຕຣນິກທີ່ມີຄວາມຍືດຫຍຸ່ນ, ແລະ ເຕັກໂນໂລຊີການສະແດງຜົນ.